Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE

Артикул:M386A8K40DM2-CWE
Код товара:626380500
К сравнению
Количество чипов на модуле:-
Габариты (мм):-
масса(кг):0.09
Расширенная операционная температура (Tcase):85 °C
rusName:[Модуль памяти] Samsung DRAM 64GB DDR4 LRDIMM 3200MHz, 1.2V, (DDP4Gx4)x36, 4R x 4 M386A8K40DM2-CWE
Потребление энергии:-
Линейка:Нет
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Вес (грамм):-
Количество модулей в комплекте (шт):1
Под заказ (запрашивайте)
23 240 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
ac485b9fb969a4e578bd7c23a7cc9eeb
Описание
Память M386A8K40DM2-CWE от Samsung
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
масса(кг)
Расширенная операционная температура (Tcase)
rusName
Потребление энергии
Линейка
сайт производителя
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
ширина(см)
CAS Latency (CL)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
Низкопрофильная
Радиатор
Подсветка
Производитель
Количество контактов
длина(см)
Дополнительная информация
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
GTIN
высота(см)
RAS to CAS Delay (tRCD)
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)